当前位置:首页 > 研发 > 手机芯片 >

三星量产第五代3D V-NAND闪存:96层堆叠 提速40%

来源:快科技   作者:   发布时间: 2018-07-10 15:23:45

\


7月10日消息,三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺度仅有几百微米宽。

它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上代64层堆叠提升了40%,同时电压从1.8V降至1.2V,能效大大提高。

数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。

三星还透露,正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。
 

订阅手机圈微信日报,请关注 shoujiquanvip